存储器的制作方法及存储器
授权
摘要
本发明提供一种存储器的制作方法及存储器,涉及存储设备技术领域,用于解决存储速度和存储效率较低的技术问题,该制作方法包括:提供基底,基底内设有多个间隔设置的电容接触垫;在每个电容接触垫的第一表面上形成第一凹槽;在第一凹槽内形成导电柱,导电柱的上端面与电容接触垫的第一表面齐平;在基底上形成多个电容器,多个电容器与多个电容接触垫一一对应且电连接;每个电容器的第一极板覆盖对应的导电柱,且第一极板的材质与导电柱的材质相同。通过在电容接触垫内设置导电柱,且导电柱和第一极板材质相同,增加了导电柱和第一极板作为一个整体与电容接触垫的接触面积,减少电容器与电容接触垫的接触电阻,从而提高存储效率和存储速度。
基本信息
专利标题 :
存储器的制作方法及存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112951770A
申请号 :
CN202110406663.3
公开(公告)日 :
2021-06-11
申请日 :
2021-04-15
授权号 :
CN112951770B
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
白卫平朱丽应战
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 :
张娜
优先权 :
CN202110406663.3
主分类号 :
H01L21/8242
IPC分类号 :
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件,例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-06-10 :
授权
2021-07-02 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20210415
申请日 : 20210415
2021-06-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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