存储器电容的制作方法
授权
摘要
本发明提供的存储器电容的制作方法，在形成第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层、第二支撑层、电容孔和第一电极层后，先通过一次干法蚀刻工艺制程去除设定位置的第二支撑层、第二牺牲层和第一支撑层以形成电容打开孔，再通过一次湿法蚀刻工艺制程去除剩余的牺牲层，最后在第一电极层的表面形成电容介质层和第二电极层。本发明的技术方案仅需要一次干法蚀刻工艺制程和一次湿法蚀刻工艺制程，即可形成电容打开孔以去除存储器电容的全部牺牲层，使制程步骤得到了优化，极大程度地缩短了存储器电容的制造时间。
基本信息
专利标题 ：
存储器电容的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112563206A
申请号 ：
CN201910910414.0
公开（公告）日 ：
2021-03-26
申请日 ：
2019-09-25
授权号 ：
CN112563206B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
鲍锡飞
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
虞凌霄
优先权 ：
CN201910910414.0
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-04-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20190925
申请日 : 20190925
2021-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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