电容结构及其制作方法

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摘要

本发明公开一种电容结构及其制作方法，该电容结构包含一基底，其上具有一存储节点接触；一筒状下电极，设于所述存储节点接触上；一支撑结构，水平的支撑所述筒状下电极的一侧壁，其中所述支撑结构具有一上表面，高于所述筒状下电极的上表面，其中所述支撑结构的上表面具有一V型剖面轮廓；一电容介电层，顺形的覆盖所述筒状下电极与所述支撑结构；以及一上电极，覆盖在所述电容介电层上。

基本信息

专利标题：

电容结构及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110707084A

申请号：

CN201811041793.6

公开（公告）日：

2020-01-17

申请日：

2018-09-07

授权号：

CN110707084B

授权日：

2022-06-14

发明人：

黄楷珞李甫哲张峰溢陈界得蔡孟珈

申请人：

联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN201811041793.6

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L21/8242