垂直布局MSM电容结构及其制作方法
公开
摘要
本发明公开的一种垂直布局MSM电容结构及其制作方法，可应用于各类中小容值和小型化需求的半导体集成/封装结构中。其包括两个插入半导体介质基板的扁平金属化通槽或者盲槽，半导体介质基板特定位置制有垂直其表面，且被介质隔墙S1分隔的两个扁平金属化通槽、盲槽或者埋槽，垂直于半导体介质基板上下表面一种垂直布局MSM电容结构介质隔墙构成电容的介质层；两个相互平行的矩形通槽、盲槽或者埋槽镶嵌有构成电容体同质外延的金属电极板P1、P2，两个金属电极板通过半导体介质基板表面刻蚀的金属层微带连线，向介质隔墙S1两端延伸，形成一个从MSM电容引出端L1和L2引出的电极结构，从而形成垂直布局的MSM电容等效电路结构。
基本信息
专利标题 ：
垂直布局MSM电容结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566490A
申请号 ：
CN202210075871.4
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-04-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
祁冬张睿张先荣王志辉朱勇
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十研究所
申请人地址 ：
四川省成都市金牛区茶店子东街48号
代理机构 ：
成飞(集团)公司专利中心
代理人 ：
郭纯武
优先权 ：
CN202210075871.4
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
