一种电容结构及其制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种电容结构及其制作方法，是在半导体基底上依次形成下极板和介电质层后，先形成第一金属层，再形成第一保护层覆盖第一金属层并顶部开窗后，制作绝缘层并对应第一保护层的顶部开窗形成通孔，再形成第二保护层覆盖裸露的绝缘层，然后制作第二金属层，第二金属层通过通孔与第一金属层接触以形成上极板。通过第一金属层、第一保护层和第二保护层的设置改善电容中电荷集中区域的结构，避免三种材料交界，减少应力作用，有效隔离制作过程中和使用过程中的水汽等污染，提高可靠度以及器件使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种电容结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111128970A
申请号 ：
CN201911326997.9
公开（公告）日 ：
2020-05-08
申请日 ：
2019-12-20
授权号 ：
CN111128970B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
王勇魏鸿基郑坤林鑫于明朗张琛仓
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司;华为技术有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN201911326997.9
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-06-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/64
申请日 : 20191220
申请日 : 20191220
2020-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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