一种电容器结构及其制作方法
授权
摘要
本发明提供了一种电容器结构及其制作方法，通过刻蚀衬底形成若干具有高深宽比的沟槽，以剩余衬底作为电容的第一极板，然后在所述沟槽内壁形成电容介质层，最后于所述沟槽内形成导电层作为电容的第二极板。本发明提供的电容器结构的制作方法，可通过调节沟槽的刻蚀深度，增大电容的有效面积，进而提高电容器单位面积上的电容密度。而且本发明工艺步骤简单，与现有CMOS工艺流程匹配，有效降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种电容器结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109473486A
申请号 ：
CN201811216535.7
公开（公告）日 ：
2019-03-15
申请日 ：
2018-10-18
授权号 ：
CN109473486B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
王俊杰徐爱斌
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
屈蘅
优先权 ：
CN201811216535.7
主分类号 ：
H01L29/94
IPC分类号 ：
H01L29/94 H01L21/329
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2019-04-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/94
申请日 : 20181018
申请日 : 20181018
2019-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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