电容器结构
专利权的终止
摘要
一种电容器结构，包括多层导电层、介电层及多个接触窗。多层导电层彼此堆叠配置，各导电层具有第一导电图案与第二导电图案。介电层配置在第一导电图案与第二导电图案之间，以及配置在相邻二层导电层之间。多个接触窗配置在介电层中，分别电性连接相邻二层导电层中的第一导电图案及电性连接相邻二层导电层中的第二导电图案。其中，电性连接相邻二层导电层中的第一导电图案的接触窗为第一长条状接触窗，第一长条状接触窗延伸于相邻二层导电层中的第一导电图案之间，且第一长条状接触窗的边界位于第一导电图案的边界范围内。
基本信息
专利标题 ：
电容器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101026164A
申请号 ：
CN200610004124.2
公开（公告）日 ：
2007-08-29
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪建州梁其翔曾华洲曾誌裕
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610004124.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2011-04-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101066491379
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2006100041242
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20100221
号牌文件序号 : 101066491379
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2006100041242
申请日 : 20060221
授权公告日 : 20090520
终止日期 : 20100221
2009-05-20 ：
授权
2007-10-24 ：
实质审查的生效
2007-08-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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