MIM电容器结构
实质审查的生效
摘要
提供一种集成电路结构。该集成电路结构包括后段制程(BEOL)布线层，该后段制程布线层包括金属线以及在金属线之间的第一区域。该集成电路结构还包括形成在第一区域中的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。MIM电容器包括第一电极、形成在第一电极上的第一电介质层、形成在第一电介质层上的第二电极、形成在第二电极上的第二电介质层、形成在第二电介质层上的第三电极、形成在第三电极上的第三电介质层、形成在第三电介质层上的第四电极、将第一电极与第三电极电连接的第一金属互连、以及将第二电极与第四电极电连接的第二金属互连。
基本信息
专利标题 ：
MIM电容器结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446928A
申请号 ：
CN202111228485.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁世钧李保振杨志超
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约阿芒克
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
马明月
优先权 ：
CN202111228485.6
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20211021
申请日 : 20211021
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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