MIM电容器的制作方法及MIM电容器
公开
摘要
本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。
基本信息
专利标题 ：
MIM电容器的制作方法及MIM电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583049A
申请号 ：
CN202210479541.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵东艳王于波王凯陈燕宁付振刘芳余山邓永峰吴波郁文刘倩倩
申请人 ：
北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国家电网有限公司;国网重庆市电力公司电力科学研究院
申请人地址 ：
北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层
代理机构 ：
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 ：
李红
优先权 ：
CN202210479541.1
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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