高密度电容器件及其制作方法
授权
摘要
本申请涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种高密度电容器件及其制作方法。其中器件包括介质层，包括多层依次层叠的子介质层；第一金属电极板和第二金属电极板，第一金属电极板包括至少一个第一电极臂，第二金属电极板包括至少一个第二电极臂；第一电极臂和第二电极臂均包括多段在纵向上依次接触的子电极臂，每段子电极臂对应设于子介质层中，子电极臂从其各自所在的子介质层的上表面向下延伸；相邻子介质层之间通过互连金属形成互连。该方法通过已有下层金属电极板和互连金属，充分利用双大马士革工艺，通过设计孔层图形制作较高密度的电容器件。
基本信息
专利标题 ：
高密度电容器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111653545A
申请号 ：
CN202010594502.7
公开（公告）日 ：
2020-09-11
申请日 ：
2020-06-28
授权号 ：
CN111653545B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
刘俊文
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202010594502.7
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20200628
申请日 : 20200628
2020-09-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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