一种有源芯片高密度TSV结构及制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种有源芯片高密度TSV结构，包括：硅衬底；第一介质层，所述第一介质层设置在所述硅衬底的上表面；高密度硅通孔开口槽，所述高密度硅通孔开口槽贯穿所述第一介质层，露出所述第一介质层；第二介质层，所述第二介质层设置在所述高密度硅通孔开口槽中；高密度硅通孔，所述高密度硅通孔由所述高密度硅通孔开口槽的槽底向所述硅衬底内部延伸；以及高密度硅通孔互连结构，所述高密度硅通孔互连结构电连接至所述高密度硅通孔。
基本信息
专利标题 ：
一种有源芯片高密度TSV结构及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111834313A
申请号 ：
CN202010744766.6
公开（公告）日 ：
2020-10-27
申请日 ：
2020-07-29
授权号 ：
CN111834313B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
张春艳曹立强孙鹏
申请人 ：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
代理机构 ：
上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张东梅
优先权 ：
CN202010744766.6
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/485 H01L21/768 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-11-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20200729
申请日 : 20200729
2020-10-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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