一种高密度芯片的扇出型封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种高密度芯片的扇出型封装结构，包括被塑封层塑封的硅基转接板，与被塑封的硅基转接板触点电连接的重新布线层，以及设置于重新布线层表面的锡球，所述硅基转接板包括至少三层二氧化硅互联层，被其中一层表层二氧化硅层包裹的多片硅片以及贯穿三层二氧化硅和硅片空隙的金属互联柱，金属互联柱间间距为5～50um。采用本实用新型的设计方案，实现了对具有超精细引脚结构的高密度芯片进行扇出型集成封装的工艺结构，弥补了目前常规的扇出型封装技术在该方面的不足，扩展了扇出型封装技术的应用范围和领域。
基本信息
专利标题 ：
一种高密度芯片的扇出型封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020966793.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-01
授权号 ：
CN212084946U
授权日 ：
2020-12-04
发明人 ：
王新蒋振雷
申请人 ：
杭州晶通科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区文一西路1217号IT公园1号楼
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张超
优先权 ：
CN202020966793.3
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/48 H01L23/31 H01L21/78
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2020-12-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212084946U.PDF
PDF下载
