超高密度多芯片模组的三维扇出型封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种超高密度多芯片模组的三维扇出型封装结构，包括被第一塑封体塑封的器件芯片，器件芯片的引脚外露出第一塑封体，器件芯片靠近第一塑封体外围的引脚与第二塑封体内的金属互联柱连接，器件芯片靠近第一塑封体中心的引脚与第二塑封体内的互联芯片连接，互联芯片被第二塑封体完全包裹，金属互联柱外露出第二塑封体，第二塑封体远离第一塑封体的一侧设有和外露的金属互联柱适配的重新布线层，重新布线层远离第二塑封体的一侧设置锡球。采用本实用新型的设计方案，实现了对具有超精细引脚结构的高密度芯片进行扇出型集成封装的工艺结构。
基本信息
专利标题 ：
超高密度多芯片模组的三维扇出型封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921910066.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-07
授权号 ：
CN210640243U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
王新蒋振雷
申请人 ：
杭州晶通科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区文一西路1217号IT公园1号楼
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张超
优先权 ：
CN201921910066.9
主分类号 ：
H01L25/065
IPC分类号 ：
H01L25/065 H01L21/98 H01L23/31 H01L23/48 H01L21/50 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/065
包含在H01L27/00组类型的器件
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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