用于超高密度芯片FOSiP封装的结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种用于超高密度芯片FOSiP封装的结构，从上至下依次设置塑封层、精密铜互联层和重新布线层，塑封层内塑封有若干带有金属触点的芯片或器件，精密铜互联层具有由双凹槽构成的互联结构，沿塑封层表面垂直方向靠近塑封层的截面大小小于远离塑封层的截面大小，重新布线层在其介电层所在一层形成能够和精密铜互联层电学互联的金属连接结构，金属连接结构穿过介电层并延伸出有机物介电层部分作为触点，触点上设置锡球。采用本实用新型的设计方案，可以把具有超精细引脚结构的高端精密裸芯片方便地进行扇出型集成封装，也进一步缩小了封装体积。
基本信息
专利标题 ：
用于超高密度芯片FOSiP封装的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921063961.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-09
授权号 ：
CN210073829U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
王新蒋振雷陈坚
申请人 ：
王新;蒋振雷;陈坚
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区西溪华东园6幢1单元1401室
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张超
优先权 ：
CN201921063961.1
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L25/16 H01L21/60 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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