用于扇出型面板级芯片的垂直电镀模组
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于扇出型面板级芯片的垂直电镀模组，包括电镀槽模组，所述电镀槽模组设有第一容纳腔、第二容纳腔以及第三容纳腔，所述第一容纳腔与所述第二容纳腔连通，所述第二容纳腔与所述第三容纳腔连通，所述第二容纳腔的壁面上设有开口，所述第一容纳腔能够向所述第二容纳腔的底部泵入电镀药水，所述第二容纳腔能够从其上部向所述第三容纳腔导入电镀药水；抽气槽模组，所述抽气槽模组通过第一泵浦与所述第一容纳腔连通，所述第一泵浦能够将抽气槽模组中的电镀药水泵入第一容纳腔，所述第三容纳腔通过第二泵浦与所述抽气槽连通，所述第二泵浦将所述第三容纳腔内的电镀药水泵入所述抽气槽模组。其垂直电镀模组生产可满足单面生产。
基本信息
专利标题 ：
用于扇出型面板级芯片的垂直电镀模组
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921937843.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-12
授权号 ：
CN211227418U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
温维娟李安郑海鹏
申请人 ：
亚智系统科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区嘉陵江路405号
代理机构 ：
广州市红荔专利代理有限公司
代理人 ：
胡昌国
优先权 ：
CN201921937843.9
主分类号 ：
C25D19/00
IPC分类号 ：
C25D19/00 C25D21/04 C25D21/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置
C25D19/00
电解镀覆的成套设备
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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