垂直结构LED芯片

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摘要

本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，采用超薄的金属衬底作为垂直结构LED芯片的衬底，金属衬底的导电、导热能力优异，可以显著增加芯片的导电和散热能力，提高了芯片极限工作性能；并且，在金属衬底第二表面形成金属应力调整层，金属应力调整层采用与金属衬底不同的材料制成，可以补偿外延层对金属衬底施加的应力，改善制备垂直结构LED芯片的晶圆的翘曲问题，提升了晶圆划片的工艺良率，进而提高垂直结构LED芯片的良率，具有良好的技术推广应用前景。并且采用超薄金属衬底能显著降低垂直结构LED芯片的尺寸，满足芯片小型化和薄型化的需求。

基本信息

专利标题：

垂直结构LED芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022175585.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-28

授权号：

CN212874527U

授权日：

2021-04-02

发明人：

范伟宏薛脱李东昇张晓平马新刚张学双赵进超

申请人：

厦门士兰明镓化合物半导体有限公司

申请人地址：

福建省厦门市海沧区兰英路99号

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司

代理人：

王宏婧

优先权：

CN202022175585.4

主分类号：

H01L33/20

IPC分类号：

H01L33/20 H01L33/44 H01L33/12