一种双面透明电极的垂直结构LED芯片

授权

摘要

本实用新型公开了一种双面透明电极的垂直结构LED芯片，结构从下至上依次包括支撑导电基板、键合金属层、保护金属层、反射金属层、p面透明电极、外延层、钝化绝缘层和n面透明电极，其中，所述钝化绝缘层设置在所述外延层的外周，并与所述外延层顶部形成第一凹槽，所述n面透明电极底部设置有与第一凹槽相匹配的凸起。由于p面电极采用透明电极，能做出稳定的欧姆接触，使产品电压稳定，且透光性能良好，解决了传统垂直结构LED芯片电压不稳定的问题；此外，由于n面电极也采用透明电极，能够极大的改善电流扩展，和避免n电极吸光挡光问题，进一步提升亮度，减少大电流下发热，提升光效，解决传统垂直结构LED芯片电流扩展不好的问题。

基本信息

专利标题：

一种双面透明电极的垂直结构LED芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020457042.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-01

授权号：

CN211907459U

授权日：

2020-11-10

发明人：

李国强

申请人：

河源市众拓光电科技有限公司

申请人地址：

广东省河源市高新技术开发区兴业大道东边、高新一路创业服务中心三楼317室

代理机构：

广州凯东知识产权代理有限公司

代理人：

李勤辉

优先权：

CN202020457042.9

主分类号：

H01L33/42

IPC分类号：

H01L33/42 H01L33/00