透明电极、透明电极的制造方法和电子器件
公开
摘要
本发明提供一种低电阻、且对卤素、硫等杂质的稳定性高的透明电极及其制造方法、以及使用该透明电极的电子器件。[解决手段]实施方式的透明电极是具备透明基材和配置在其表面上且被分离区域相互分离的多个导电性区域的透明电极，所述导电性区域具有从所述基材侧起依次层叠第1透明导电性金属氧化物层、金属层和第2透明导电性金属氧化物层的结构，在所述分离区域配置有捕获卤素、硫或氧的任1种以上的捕获材料。该透明电极可通过在对导电性区域进行划线而形成分离区域后采用卤化物或硫化合物来制造。
基本信息
专利标题 ：
透明电极、透明电极的制造方法和电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600202A
申请号 ：
CN202080060203.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-09-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
内藤胜之信田直美齐田穣
申请人 ：
株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
吴宗颐
优先权 ：
CN202080060203.3
主分类号 ：
H01B5/14
IPC分类号 ：
H01B5/14 H01B13/00 H01L31/0224
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B5/00
按形状区分的非绝缘导体或导电物体
H01B5/14
在绝缘支承物上有导电层或导电薄膜的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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