一种垂直结构LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，从下至上依次包括衬底层、粘结层、键合层、阻挡层、N电极层、绝缘反射层、欧姆接触层、外延片和分布在外延片外侧的P电极，所述外延片从下至上依次包括p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和n‑GaN层。由于N电极通过隔离槽穿过绝缘反射层、欧姆接触层、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层，并与n‑GaN层形成欧姆接触，不仅能减少对发光面出光的遮挡，改善了芯片边缘与孔内暗区等现象，发光光斑较为规则，更有利于产业链下游的光路设计；同时还在芯片内部形成更好的导热通道，从而改善了局部电流拥堵的问题，使得LED芯片在使用过程中局部温度过高的问题得到了大幅改善，甚至完全解决，从而延长了LED芯片的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直结构LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020458059.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-01
授权号 ：
CN212136470U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
李国强
申请人 ：
河源市众拓光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省河源市高新技术开发区兴业大道东边、高新一路创业服务中心三楼317室
代理机构 ：
广州凯东知识产权代理有限公司
代理人 ：
李勤辉
优先权 ：
CN202020458059.6
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/64 H01L33/00
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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