一种垂直结构LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，从下往上依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、反射层、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层、钝化层和N电极；其中，反射层包括金属反射层和绝缘反射层，金属反射层的底面与保护层的上面连接，绝缘反射层设置在金属反射层的两端且与保护层连接；具有更好的光强均匀性，在芯片边缘设置了绝缘反射层，降低了边缘发光强度偏弱的影响，从而提高了反射层单位发光面积上的发光强度。使得相同发光面积下，使用垂直结构LED芯片的LED灯具有更高的发光通量。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直结构LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020888042.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-22
授权号 ：
CN212967738U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
李国强
申请人 ：
河源市天和第三代半导体产业技术研究院
申请人地址 ：
广东省河源市高新区高新二路163号创业服务中心314-1室
代理机构 ：
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨艳
优先权 ：
CN202020888042.4
主分类号 ：
H01L33/46
IPC分类号 ：
H01L33/46 H01L33/10 H01L33/00
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
