一种垂直结构LED芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片,从下往上依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、反射层、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层、钝化层和N电极;其中,反射层包括金属反射层和绝缘反射层,金属反射层的底面与保护层的上面连接,绝缘反射层设置在金属反射层的两端且与保护层连接;具有更好的光强均匀性,在芯片边缘设置了绝缘反射层,降低了边缘发光强度偏弱的影响,从而提高了反射层单位发光面积上的发光强度。使得相同发光面积下,使用垂直结构LED芯片的LED灯具有更高的发光通量。
基本信息
专利标题 :
一种垂直结构LED芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020888042.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-22
授权号 :
CN212967738U
授权日 :
2021-04-13
发明人 :
李国强
申请人 :
河源市天和第三代半导体产业技术研究院
申请人地址 :
广东省河源市高新区高新二路163号创业服务中心314-1室
代理机构 :
广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)
代理人 :
杨艳
优先权 :
CN202020888042.4
主分类号 :
H01L33/46
IPC分类号 :
H01L33/46 H01L33/10 H01L33/00
法律状态
2021-04-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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