一种大芯片的垂直堆叠结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种大芯片的垂直堆叠结构，包含基板和至少一层堆叠单元；所述堆叠单元包含由下到上依次堆叠的下层芯片、硅垫片和上层芯片，硅垫片通过薄膜黏合剂粘贴在下层芯片上，上层芯片通过埋线膜粘贴在硅垫片上，下层芯片通过薄膜黏合剂粘贴在基板或下侧的堆叠单元的上层芯片上；所述的下层芯片和上层芯片均通过键合金线与基板电连接；本方案采用spacer和WEF相结合的设计方案，可以有效减小产品翘曲，并降低塑封表面出现模流印的风险；键合线的弧高可设计，并且容易检测，也避免键合线不合理地弯曲，从而极大降低制程的难度，有利于产品的大规模生产。
基本信息
专利标题 ：
一种大芯片的垂直堆叠结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921840863.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN210575949U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
汪婷阳芳芳
申请人 ：
太极半导体（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区综合保税区启明路158号建屋1号厂房
代理机构 ：
苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
于浩江
优先权 ：
CN201921840863.4
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/31 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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