采用多芯片堆叠结构的功率分立器件

授权

摘要

本实用新型属于功率器件封装结构的技术领域，具体涉及一种采用多芯片堆叠结构的功率分立器件，其包括散热基板；至少两个芯片，其粘接在所述散热基板上；其中，所述至少两个芯片与所述散热基板之间，或者所述至少两个芯片之间，均设有导电银浆层。本实用新型的结构既能保证功率器件的散热要求，又实现大功率器件封装结构小型化的目的。

基本信息

专利标题：

采用多芯片堆叠结构的功率分立器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021335170.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-09

授权号：

CN212587507U

授权日：

2021-02-23

发明人：

杨伊杰蒋卫娟缑娟孙炎权

申请人：

华羿微电子股份有限公司

申请人地址：

陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司

代理人：

郭永丽

优先权：

CN202021335170.2

主分类号：

H01L25/18

IPC分类号：

H01L25/18 H01L23/495 H01L23/367 H01L23/373