LED灯大功率驱动芯片，VCC电源端一路经高压电流源和串联的R1、R2采样电阻连接，采样电阻另一端为公共地端GND，另一路连接MOSFET管漏极，MOSFET管源极和公共地端GND连接有Rf反馈电阻；MOSFET管栅极连接有PWM脉宽调制器，R1、R2公共连接点和PWM脉宽调制器输入端之间串联有N1、N2两级比较器，N1反相端和MOSFET管源极间连接有R3过流检测电阻，N2同相端连接有过热保护电路。用PWM脉宽调制器脉冲信号控制MOSFET功率开关管栅极电流大小，即调整脉冲的占空比大小，控制MOSFET管输出脉宽功率信号为LED灯提供恒定电流；当温度超过过热保护电路设定值时，过热保护电路输出一低电平，N2比较器输出一低电平，PWM输出脉冲占空比减小，减少MOS管的导通时间，减小输出电流，达到降低温度目的。