一种大功率LED芯片
授权
摘要
本实用新型提供了一种大功率LED芯片，所述大功率LED芯片包括外延层、ITO层、第一反射层、阻挡层、钝化层、第二反射层、键合层、Si衬底层、保护层和P、N电极。通过在外延层内开设圆孔，圆孔内填充键合材料，实现N型氮化镓层与N‑Pad电性连接。圆孔内侧壁覆盖接触层，并在圆孔内壁及钝化层表面蒸镀第二反射层，增加大功率LED芯片内部光的反射面积，提高器件的反射能力，提高光电可靠性；进一步地在，在阻挡层边缘处设置均匀分布的凹槽阵列，并在凹槽阵列的表面依次覆盖钝化层和第二反射层，可以减少阻挡层金属对芯片内部光的吸收，并通过第二反射层增加反射效果，同时，有利于电流的均匀导通，保证器件稳定性的前提提高发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020376492.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-23
授权号 ：
CN211719611U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
孙雷蒙杨丹徐晓丽
申请人 ：
华引芯（武汉）科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来城龙山创新园一期A5北区4栋7层701单元706室
代理机构 ：
杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宇娟
优先权 ：
CN202020376492.5
主分类号 ：
H01L33/22
IPC分类号 ：
H01L33/22 H01L33/46 H01L33/10
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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