一种多芯片堆叠结构
授权
摘要
本实用新型属于封装技术领域，具体涉及一种多芯片堆叠结构。该结构包括基板；若干芯片，沿垂直于所述基板的方向堆叠设置，且相邻芯片间设置有支撑结构；所述芯片和所述基板电互连；该多芯片堆叠结构通过支撑结构可以实现多个正装芯片重复堆叠，分别与基板实现电互连，有效减小该多芯片堆叠结构的体积，进一步减小封装产品的尺寸；该多芯片堆叠结构可用于传统正装芯片封装中，且其对封装工艺的精度要求和成本均较低。
基本信息
专利标题 ：
一种多芯片堆叠结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922327924.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-20
授权号 ：
CN211555882U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
孙鹏孙立明
申请人 ：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号传感网国际创新园D1栋
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
寇海侠
优先权 ：
CN201922327924.3
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/12 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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