一种eMCP芯片的交错堆叠结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种eMCP芯片的交错堆叠结构，该结构在基板上设置有DRAM芯片，DRAM芯片上设置有3D NAND芯片，DRAM芯片和3D NAND芯片为垂直设置，通过该结构的设置，使得两个芯片之间能够节省中间假片，以增加芯片堆叠层数，进而增大容量。
基本信息
专利标题 ：
一种eMCP芯片的交错堆叠结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022172050.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
CN213071124U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
李凯
申请人 ：
华天科技（南京）有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢—324
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
马贵香
优先权 ：
CN202022172050.1
主分类号 ：
H01L25/065
IPC分类号 ：
H01L25/065 H01L23/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/065
包含在H01L27/00组类型的器件
法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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