一种垂直结构LED芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种垂直结构LED芯片及其制备方法，该垂直结构LED芯片按照从下往上的连接顺序依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、P‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、N‑GaN层、电流扩散层、钝化层和N电极；保护层内设有金属反射层，金属反射层与P‑GaN层接触；电流扩散层内设有电流阻挡层，电流阻挡层位于N电极下方，电流阻挡层与N‑GaN层接触。该垂直结构LED芯片能克服现有大功率LED发光不均匀以及发光效率低的缺陷，P、N面的双面电流扩散提高了发光效率，从而提高了亮度，改善了传统芯片区域暗区等现象，更有利于产业链下游的光路设计。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直结构LED芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447171A
申请号 ：
CN202210015335.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李国强
申请人 ：
广州市众拓光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区开源大道136号B2栋1103室
代理机构 ：
广州容大知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新年
优先权 ：
CN202210015335.5
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/00
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
