垂直结构发光二极管芯片的P电极的制备方法
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摘要
本公开提供了一种垂直结构发光二极管芯片的P电极的制备方法，属于发光二极管领域。所述方法包括：提供发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及顺次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型欧姆接触层；在P型欧姆接触层上生长接触层电极，对接触层电极进行热退火处理，接触层电极包括Ni层；在接触层电极上生长第一反射层电极，对第一反射层电极进行热退火处理，第一反射层电极包括第一Ag层，第一反射层电极的退火时间比接触层电极的退火时间短，第一反射层电极的退火温度比接触层电极的退火温度低。本公开能够获得高反射率和低接触电阻率的P电极。
基本信息
专利标题 ：
垂直结构发光二极管芯片的P电极的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112885937A
申请号 ：
CN202011610562.X
公开（公告）日 ：
2021-06-01
申请日 ：
2020-12-30
授权号 ：
CN112885937B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
刘旺平梅劲刘春杨张武斌葛永晖
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202011610562.X
主分类号 ：
H01L33/40
IPC分类号 ：
H01L33/40
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-06-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/40
申请日 : 20201230
申请日 : 20201230
2021-06-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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