发光二极管芯片

授权

摘要

本申请提供一种发光二极管芯片。缓冲层远离衬底的表面设置有多个三维岛状结构。第二无掺杂氮化镓子层设置于多个三维岛状结构表面，将多个三维岛状结构覆盖。第二无掺杂氮化镓子层为二维层状结构。此时，通过多个三维岛状结构和第二无掺杂氮化镓子层可以形成三维/二维交替的结构。从而，非辐射缺陷会在三维岛状结构到二维层状结构交替的界面处发生方向转向，进而使得部分缺陷转向合并湮灭。并且，通过无掺杂氮化镓层包括多个子氮化镓层，可以实现多层次的三维/二维交替结构，使得大部分非辐射缺进行方向转向，并合并湮灭，进而很大程度的减少了底层缺陷，获得高晶体质量外延片，提高了芯片的发光效率。

基本信息

专利标题：

发光二极管芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921985930.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-11-15

授权号：

CN211150583U

授权日：

2020-07-31

发明人：

王晟

申请人：

芜湖德豪润达光电科技有限公司

申请人地址：

安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

黄丽

优先权：

CN201921985930.1

主分类号：

H01L33/08

IPC分类号：

H01L33/08 H01L33/32 H01L33/00