倒装发光二极管芯片
授权
摘要
本申请提供一种倒装发光二极管芯片。所述倒装发光二极管芯片从发光层出射的光，一部分直接射出所述衬底。一部分射向电流扩展层，经过反射层反射后射出所述衬底。由于光线在射出所述衬底时容易发生全反射，此部分光有机会经过所述反射层而后射出所述衬底。所述平台将所述衬底边缘设置的多个所述凸起结构覆盖。也就是说所述平台设置在所述反射层和所述凸起结构之间，使得所述反射层靠近所述衬底的表面为平坦结构，可以解决由图案化微结构导致的所述反射层起伏不平问题。从而，通过所述平台使得所述反射层靠近所述衬底的表面为平坦结构，提高了所述反射层的反射率，更加有效的反射射到此处的光线，提高了所述倒装发光二极管芯片的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
倒装发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921747852.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-17
授权号 ：
CN210668408U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
王晟
申请人 ：
大连德豪光电科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
景怀宇
优先权 ：
CN201921747852.1
主分类号 ：
H01L33/46
IPC分类号 ：
H01L33/46 H01L33/20
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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