一种倒装紫外发光二极管芯片
授权
摘要
本专利公开了一种倒装的紫外发光二极管芯片，包括：紫外发光二极管的外延结构，所述P型欧姆接触层上设置有多个减薄区域；电流扩散层，所述电流扩散层设置在所述P型欧姆接触层的下表面；随着所述述P型欧姆接触层的表面起伏而与所述述P型欧姆接触层贴合设置；DBR透镜层，所述DBR透镜层设置在所述电流扩散层的下表面，随着电流扩散层的表面起伏而与所述沿着所述电流扩散层贴合设置；正极电极，所述正极电极的一部分穿过所述P型欧姆接触层、电流扩散层与所述P型半导体材料层接触；所述正极电极的另一部分与所述电流扩散层接触；通过上述方案提高了紫外发光二极管芯片的发光亮度。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装紫外发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921515520.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-11
授权号 ：
CN211182232U
授权日 ：
2020-08-04
发明人 ：
张向鹏崔志勇李勇强薛建凯王雪郭凯张晓娜
申请人 ：
北京中科优唯科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区经海五路58号院5号楼7层708室
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宏伟
优先权 ：
CN201921515520.0
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/10 H01L33/14 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2020-08-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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