倒装发光二极管芯片
授权
摘要
公开了一种倒装发光二极管芯片，包括：衬底；N型半导体层，位于衬底上；有源层，位于N型半导体层上；P型半导体层，位于有源层上；电流扩展层，位于P型半导体层上；以及第一绝缘层、P电极、N电极，其中，第一绝缘层部分位于电流扩展层上，部分穿过电流扩展层、P型半导体层以及有源层，与N型半导体层接触；第一绝缘层具有第一通孔与第二通孔，第一通孔位于电流扩展层上，电流扩展层通过第一通孔与P电极连接，第二通孔位于部分第一绝缘层中，N型半导体层通过第二通孔与N电极连接。本公开的目的在于提供一种具有阵列式电极结构的倒装发光二极管芯片，从而提高倒装发光二极管芯片的发光面积，有效提升倒装发光二极管的光效。
基本信息
专利标题 ：
倒装发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020692359.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-29
授权号 ：
CN212676295U
授权日 ：
2021-03-09
发明人 ：
赵进超沈丹萍李超马新刚李东昇
申请人 ：
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区(保税港区)海景南二路45号4楼03单元F0055
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202020692359.0
主分类号 ：
H01L33/46
IPC分类号 ：
H01L33/46 H01L33/20 H01L33/14 H01L33/36 H01L33/00
法律状态
2021-03-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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