一种倒装发光二极管芯片及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及制备方法，该方法包括：对外延层及Mesa台阶进行刻蚀处理并刻蚀至衬底，以刻蚀得到切割道，切割道处外延层的侧面与衬底的顶面之间所形成锐角夹角为40°‑80°；在外延层上生长电流阻挡层；在外延层上生长电流扩展层并将电流阻挡层覆盖；在Mesa台阶与电流扩展层上分别制备N型导电金属与P型导电金属；在N型导电金属与P型导电金属以及电流扩展层上制备布拉格反射层，对布拉格反射层进行刻蚀以得到N型导电通孔与P型导电通孔；在布拉格反射层之上制备与N型导电金属对应的N型键合金属、与P型导电金属对应的P型键合金属。本发明能够在不减小芯片发光区面积、不增加芯片尺寸的情况下，增大切割道处衬底与外延层的横向距离。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装发光二极管芯片及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551680A
申请号 ：
CN202210177950.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李文涛刘伟简弘安张星星胡加辉金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210177950.6
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/10 H01L33/14
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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