发光二极管芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提出一种发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片包括蓝宝石衬底以及从下至上依次在蓝宝石衬底上生长的N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层、电流阻挡层、电流扩展层以及P电极，P电极下方设有钝化层，钝化层被P电极完全包裹，电流扩展层的其中一侧延伸至电流阻挡层的顶表面上，钝化层将位于电流阻挡层顶表面上的电流扩展层的侧壁边缘完全覆盖，并延伸至电流阻挡层的侧壁，以将电流阻挡层的侧壁边缘至少部分覆盖。本发明提出的发光二极管芯片，能够在保证发光效率的同时大幅改善芯片的漏电情况，提高产品生产良率。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551673A
申请号 ：
CN202210447377.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许明明董国庆文国昇刘芝君
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210447377.6
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/38 H01L33/44 H01L33/00
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20220427
申请日 : 20220427
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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