红外发光二极管芯片及其制备方法
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摘要
本公开提供了红外发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。多量子阱层设置为包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层的结构，AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层的晶格常数与InGaAs阱层的晶格常数更接近，AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层中P原子半径较小，部分P原子可以填补部分空位缺陷，红外发光二极管芯片的发光效率可以得到有效提高。垒层中Al的组分较低，P的组分较高，可以有效抑制空位缺陷且适当降低AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层的势垒，更有利于载流子的流动与发光，提高红外发光二极管芯片的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
红外发光二极管芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113345987A
申请号 ：
CN202110412078.4
公开（公告）日 ：
2021-09-03
申请日 ：
2021-04-16
授权号 ：
CN113345987B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
肖和平朱迪王世俊李彤
申请人 ：
华灿光电（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202110412078.4
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/22 H01L33/30 H01L33/00
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法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-09-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20210416
申请日 : 20210416
2021-09-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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