发光二极管芯片
授权
摘要
本申请提供一种发光二极管芯片，衬底的第一表面远离边缘位置图案化设置有凸起结构，也就是说，隔离槽位置处的衬底的表面没有设置凸起结构。由于反射层设置于隔离槽位置，且反射层具有很强的反射能力，可以使得发出的光反射，并从衬底的出光面发出。然而，传统的LED芯片在隔离槽位置处设置有图形化的结构导致反射层的反射能力降低，降低了出光能力。通过隔离槽位置处的衬底的表面不设置凸起结构，可以解决传统的LED芯片在隔离槽位置反射层反射能力较差的问题，提高发光二极管芯片的光提取率。同时，隔离槽侧壁设置有多个斜面，此时通过多个斜面使得侧壁的面积变大，内部光入射到所述侧壁上的夹角就会越多，会增加取光，提高发光二极管芯片的亮度。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920604947.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-29
授权号 ：
CN209747544U
授权日 ：
2019-12-06
发明人 ：
胡欢欢王思博简弘安刘宇轩
申请人 ：
大连德豪光电科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭玮
优先权 ：
CN201920604947.1
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/10
法律状态
2019-12-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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