发光二极管芯片、发光二极管

授权

摘要

本实用新型公开了一种发光二极管芯片、发光二极管，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括衬底、未掺杂半导体层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和隔水层，未掺杂半导体层、N型半导体层、有源层、P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层的第一边缘区域设有延伸至N型半导体层的第一凹槽，N型电极设置在第一凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层的非边缘区域上，P型半导体层的第二边缘区域设有至少延伸至未掺杂半导体层的第二凹槽，隔水层至少铺设在第二凹槽的底面上。本实用新型可以有效避免P型半导体层正下方的N型半导体层被腐蚀，大大改善发光二极管芯片的腐蚀情况。

基本信息

专利标题：

发光二极管芯片、发光二极管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920414258.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-03-29

授权号：

CN209766464U

授权日：

2019-12-10

发明人：

尹灵峰吴志浩高艳龙魏柏林王江波

申请人：

华灿光电（苏州）有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司

代理人：

徐立

优先权：

CN201920414258.4

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00 H01L33/20 H01L33/44 H01L33/48 H01L33/50 H01L33/62 H01L33/64