发光二极管芯片及发光二极管
授权
摘要
本申请涉及一种发光二极管芯片及发光二极管。其中，发光二极管芯片包括依次叠层设置的反射层、牺牲层、衬底、N半导体层、发光层和P半导体层。所述牺牲层包括叠层设置的第一牺牲层和第二牺牲层，所述第一牺牲层设置于所述反射层和所述第二牺牲层之间，所述第二牺牲层设置于第一牺牲层和所述衬底之间，且所述第一牺牲层的折射率大于所述第二牺牲层的折射率。本申请提供的所述发光二极管芯片的亮度较高。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管芯片及发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921532715.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-16
授权号 ：
CN210325841U
授权日 ：
2020-04-14
发明人 ：
刘珊珊纪思美陈顺利李士涛
申请人 ：
大连德豪光电科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
傅康
优先权 ：
CN201921532715.6
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/46 H01L33/00
法律状态
2020-04-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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