倒装发光二极管芯片
授权
摘要
本申请提供一种倒装发光二极管芯片。分布式布拉格反射层将透明导电层边缘、P型半导体层边缘和发光层边缘覆盖，并露出N型半导体台阶中间部分和透明导电层中间部分。N型金属电极层延伸至N型半导体台阶边缘，发光层、P型半导体层以及透明导电层设置于倒装发光二极管芯片的中间部分，使得Mesa台阶(量子阱)远离芯片边缘。因此，即使当倒装发光二极管芯片的边缘出现裂痕破损，出现锡膏与P或N极连接，也不会导致P型金属电极层与N型金属电极层发生短路，出现漏电失效的情况。本申请中倒装发光二极管芯片解决了传统倒装LED芯片的P电极N电极容易短路、无隔离槽设计的漏电风险，可有效降低漏电风险，提高了产品工作可靠性，提升产品良率。
基本信息
专利标题 ：
倒装发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920821405.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-31
授权号 ：
CN209896094U
授权日 ：
2020-01-03
发明人 ：
刘岩闫宝玉刘鑫鲁洋刘宇轩陈顺利
申请人 ：
大连德豪光电科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭玮
优先权 ：
CN201920821405.X
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/10 H01L33/20 H01L33/00
法律状态
2020-01-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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