倒装紫外发光二极管芯片及其制备方法
公开
摘要
本公开提供了一种倒装紫外发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。将n‑AlGaN层设置为包括依次层叠的过渡n‑AlGaN层、石墨烯层、接触n‑AlGaN层。石墨烯层可以对接触n‑AlGaN层的表面起到保护作用，石墨烯层本身涉及到刻蚀的过程中采用激光剥离实现，接触n‑AlGaN层与电极金属之间的欧姆接触更容易形成，可以降低最终得到的紫外发光二极管芯片的电极并降低紫外发光二极管所需的工作电压，延长紫外发光二极管的使用寿命。石墨烯层还可以提高外延材料的质量、传输电子并扩展电流的作用，也可以提高紫外发光二极管的出光均匀度。
基本信息
专利标题 ：
倒装紫外发光二极管芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597296A
申请号 ：
CN202210097954.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尹涌易丁丁张琰琰陆香花
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202210097954.3
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/40 H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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