垂直结构的发光二极管芯片及其制备方法
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摘要
本发明公开了垂直结构的发光二极管芯片及其制备方法,属于发光二极管制作领域。将复合衬底的材料设置为包括聚酰亚胺主体及依次层叠在聚酰亚胺主体上的第一Cu散热层与第一Cr欧姆接触层,聚酰亚胺主体的复合衬底具有一定的柔性。使得发光二极管芯片在作为柔性显示器的基本发光单元时,可以具有一定的柔性,以满足柔性显示器的弯曲与便携带的功能,提高发光二极管芯片的适用性。并且在聚酰亚胺主体上层叠第一Cu散热层与第一Cr欧姆接触层,可以便于在聚酰亚胺主体的基础上,连接其他外延材料,并且在转移外延材料的过程中,也可以实现与外延材料的良好接触,并保证在第一Cr欧姆接触层上的外延结构的稳定性。
基本信息
专利标题 :
垂直结构的发光二极管芯片及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113345990A
申请号 :
CN202110413085.6
公开(公告)日 :
2021-09-03
申请日 :
2021-04-16
授权号 :
CN113345990B
授权日 :
2022-05-20
发明人 :
陈张笑雄葛永晖刘春杨梅劲
申请人 :
华灿光电(苏州)有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
代理机构 :
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
吕耀萍
优先权 :
CN202110413085.6
主分类号 :
H01L33/20
IPC分类号 :
H01L33/20 H01L33/64 H01L33/00
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法律状态
2022-05-20 :
授权
2021-09-21 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/20
申请日 : 20210416
申请日 : 20210416
2021-09-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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