紫外发光二极管芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本公开提供了一种紫外发光二极管芯片及其制备方法,包括:衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、反射镜层、第一电极和第二电极;第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层依次层叠于衬底的表面,第二半导体层的表面具有露出第一半导体层的凹槽,第一电极位于凹槽内且与第一半导体层接触,第二电极位于第二半导体层的表面;反射镜层包括依次层叠在第二半导体层的表面上的第一绝缘层、金属反射层和第二绝缘层,第一绝缘层、金属反射层和第二绝缘层均延伸至凹槽内,第一绝缘层部分位于第一电极和第二电极表面。本公开能提升紫外发光二极管芯片的发光效果,且有效防止封装后锡扩散而导致漏电的问题,提高芯片的可靠性。

基本信息
专利标题 :
紫外发光二极管芯片及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114361310A
申请号 :
CN202111552853.2
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
徐盛海刘源张威林凡
申请人 :
华灿光电(浙江)有限公司
申请人地址 :
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 :
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
吕耀萍
优先权 :
CN202111552853.2
主分类号 :
H01L33/44
IPC分类号 :
H01L33/44  H01L33/46  H01L33/40  H01L33/00  
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/44
申请日 : 20211217
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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