三基色发光二极管芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种三基色发光二极管芯片及其制备方法，包括：生长第一外延层；将第一外延层键合到一透明基板上；生长第二外延层；将第二外延层上键合到第一外延层上，形成第一键合层；采用激光照射第一外延层、第一键合层和第二外延层；生长第三外延层；将第三外延层键合到第二外延层上，形成第二键合层；采用激光照射第一外延层、第一键合层、第二外延层、第二键合层和第三外延层；在第三外延层的表面刻蚀形成第一凹槽、第二凹槽；在第三外延层上制备第一焊点块、第二焊点块、第三焊点块和第四焊点块。本公开能提高键合层的刻蚀速度，提升三基色发光二极管芯片的制备效率。
基本信息
专利标题 ：
三基色发光二极管芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497292A
申请号 ：
CN202111601651.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
兰叶朱广敏王江波
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202111601651.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L27/15
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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