一种发光二极管芯片，其主要包括基板、第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、至少一掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层及至少一穿隧接合层。第一型掺杂半导体层设置于基板上，且发光层设置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层设置于发光层的至少其中一表面上，且穿隧接合层设置于掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与第一型掺杂半导体层之间及/或掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与第二型掺杂半导体层之间，其中掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与穿隧接合层是位于发光层的同一侧。