发光二极管芯片及发光模块

授权

摘要

本实用新型揭示一种发光二极管芯片及发光模块。所述发光二极管芯片包括：第一导电型半导体层，位于基板上；台面，配置到第一导电型半导体层的一部分区域上，包括活性层及第二导电型半导体层；透明电极，配置第二导电型半导体层上；接触电极，横向远离台面而配置到第一导电型半导体层上；电流扩展器，配置到透明电极的一部分区域上；绝缘层，覆盖基板、第一导电型半导体层、台面、透明电极、接触电极及电流扩展器，具有使接触电极及电流扩展器的一部分露出的开口部；以及第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于绝缘层上，分别通过开口部连接到接触电极及电流扩展器，且第一焊垫电极及第二焊垫电极分别具有至少一个使绝缘层露出的孔。

基本信息

专利标题：

发光二极管芯片及发光模块

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922397018.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-27

授权号：

CN210897328U

授权日：

2020-06-30

发明人：

李珍雄金钟奎李锦珠

申请人：

首尔伟傲世有限公司

申请人地址：

韩国京畿道安山市檀园区山檀路163便道65-16

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司

代理人：

杨贝贝

优先权：

CN201922397018.0

主分类号：

H01L33/38

IPC分类号：

H01L33/38 H01L33/42 H01L33/46