发光二极管芯片、发光模块及发光或显示装置
授权
摘要
本实用新型提供一种发光二极管芯片，至少包括：外延结构、电流阻挡层及电流扩展层。外延结构包括依序堆叠的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层。电流阻挡层形成于第二导电类型半导体层上。电流扩展层，至少包括第一子电流扩展层和第二子电流扩展层，依序堆叠于电流阻挡层上。第一子电流扩展层形成于电流阻挡层上，且至少覆盖电流阻挡层的上表面和侧壁区域以及第二导电类型半导体层的部分上表面。第二子电流扩展层形成于第一子电流扩展层上，且至少覆盖第一子电流扩展层的上表面和侧壁区域以及第二导电类型半导体层的部分上表面。藉此，有利于提高发光二极管芯片中的电流扩展效应，提升抗ESD能力。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管芯片、发光模块及发光或显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122557197.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-22
授权号 ：
CN216213514U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
王绘凝夏宏伟曹林华张丽明唐荷映杨人龙张中英
申请人 ：
厦门三安光电有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号
代理机构 ：
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李强
优先权 ：
CN202122557197.7
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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