一种发光二极管芯片及显示装置
授权
摘要
本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管芯片及显示装置，该发光二极管芯片包括：衬底层，该衬底层的表面依次设置有第一半导体层、发光层、第二型半导体层及两个电极，所述衬底层上表面包括粗化区域、所述粗化区域位于两个所述电极在所述衬底上的投影所对应的区域之间。通过对衬底(sapphire)层特定区域进行粗化处理，粗化处理后，使原本会发生全反射的光线会因在粗化界面的入射角发生改变而被提取出到界面外，即可以使原本出不来的光线出来，从而提升了光提取效率，使发光二极管芯片的发光亮度均匀。
基本信息
专利标题 ：
一种发光二极管芯片及显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020796565.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-14
授权号 ：
CN212161843U
授权日 ：
2020-12-15
发明人 ：
黄嘉宏杨顺贵黄国栋林雅雯洪茂嘉
申请人 ：
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 ：
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴志益
优先权 ：
CN202020796565.6
主分类号 ：
H01L33/22
IPC分类号 ：
H01L33/22 H01L33/00
法律状态
2020-12-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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