发光二极管芯片
授权
摘要
本申请提供一种发光二极管芯片，光经过设置有不同折射率的反射结构时，多个第一薄膜与第二薄膜反射回的光因相位角的改变而进行干涉，互相结合在一起，获得强烈反射光。从而反射光从第一表面返回，并通过多个间隔设置的反射结构反射进行光路的改变，使得光从衬底的侧面出光，形成侧向光。通过多个反射结构改变入射角不同的光的出光方向和强度，改变光度角，使得设置有反射结构处的正向光减弱，部分正向光的光路改变形成侧向光，从而减弱正向光，增强侧向光，使得正向光与侧向光强度合理分配，增大发光二极管芯片的光角和发光光圈，从而使应用端的直下式背光板整体发光分布均匀，无亮区和暗区。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920603874.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-29
授权号 ：
CN209747554U
授权日 ：
2019-12-06
发明人 ：
胡欢欢王思博简弘安刘宇轩
申请人 ：
大连德豪光电科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市经济开发区淮河东路157号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭玮
优先权 ：
CN201920603874.4
主分类号 ：
H01L33/60
IPC分类号 ：
H01L33/60 H01L33/48 H01L33/10 H01L33/38
法律状态
2019-12-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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