微型发光二极管芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片包括依次层叠的基板、键合层和发光结构；所述发光结构靠近所述基板的表面设有多个第一凸起，所述第一凸起靠近所述基板的一端的端面面积大于所述第一凸起与所述发光结构相连的一端的端面面积；所述基板靠近所述发光结构的表面设有多个第二凸起，所述第二凸起靠近所述发光结构的一端的端面面积大于所述第二凸起与所述基板相连的一端的端面面积。本公开实施例能增强键合强度，使键合层与基板和外延结构连接更紧密，提高芯片的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
微型发光二极管芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388672A
申请号 ：
CN202111440633.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
兰叶朱广敏王江波
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202111440633.0
主分类号 ：
H01L33/20
IPC分类号 ：
H01L33/20 H01L33/22 H01L33/00
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/20
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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