InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法
公开
摘要
本公开提供了一种InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该InGaN基红光发光二极管芯片包括依次层叠的基板、发光结构和平坦层；所述平坦层包括依次层叠的氮化硅层和多个复合层，所述氮化硅层位于所述发光结构远离所述基板的表面，所述复合层包括交替层叠的第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的沉积温度高于所述第二氧化硅层的沉积温度。本公开实施例能改善平坦层冷热影响下产生裂痕的问题，增强芯片阻挡水汽的性能，提升芯片的耐用性。
基本信息
专利标题 ：
InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597298A
申请号 ：
CN202210087956.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
兰叶王江波朱广敏
申请人 ：
华灿光电（浙江）有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
代理机构 ：
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
吕耀萍
优先权 ：
CN202210087956.4
主分类号 ：
H01L33/32
IPC分类号 ：
H01L33/32 H01L33/44 H01L33/00 H01L21/316
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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